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碳化硅有毒没有

碳化硅有毒没有

2021-04-16T11:04:33+00:00

  • 碳化硅有毒吗?百度知道

    2011年9月3日  是碳化硅本身并没毒性,但是对身体肯定不好的,如果吸入太多微粉,会有尘肺病之类的,因为粉末太细,人体消化不掉,排不出去,那就比较恐怖的。2017年8月2日  碳化硅 并没有毒,但不代表对人体无害。 碳化硅微粉吸入过多会在成尘肺!碳化硅微粉对人体有害:身体直接接触没发现大的损害,少数人可能出现皮肤过敏现象。 碳化硅有毒吗?百度知道2023年9月25日  碳化硅 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用 石英砂 、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過 電阻爐 高温冶煉而成。 碳 碳化硅百度百科2023年6月16日  碳化硅制品 具有高强度,高硬度,耐高温,耐腐蚀,抗氧化,导热系数 大,耐急冷急热和 高温蠕变 性能好等特点。 缺点为制作成本高,脆性强,制作 工艺要求 碳化硅制品的优缺点有哪些? 知乎8英寸碳化硅单晶研究获进展 来源: 物理研究所 【字体: 大 中 小 】 语音播报 碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体,具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和 8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院

  • 碳化硅 知乎

    2023年1月1日  切换为时间排序 碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐 2020年12月7日  碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式,反映温度低于1600℃时,反应产物则以βSiC形式存在;反映温度高于1600℃时,βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体,反 碳化硅简介 知乎2021年7月5日  揭秘第三代芯片材料碳化硅,国产替代黄金赛道 碳化硅,第三代半导体时代的中国机会。 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料, 90%以上的半导体产品 揭秘第三代芯片材料碳化硅,国产替代黄金赛道澎湃号湃客 2022年5月28日  带负电的铝杂质在碳化硅中引入大量空穴,实现了P型碳化硅的制备。然而,科研人员发现在碳化硅掺铝的过程中无意形成了大量带正电的碳空位,它们能影响碳 给碳化硅“看病”!浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面 2023年1月1日  碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物,莫桑石中。 碳化硅 知乎

  • 碳化硅有什么特点呢?来看看 知乎

    2021年11月2日  一般来说,碳化硅在1650的抗氧化性是很不错的。但是,抗氧化性也和开口的孔隙率和粒度有很大的关系,因为表面积越大,氧化速率才会越好。孔隙率是另一个重要的物理性质,它偶尔与密度一起报告,用于表示没有被固体物质占据的自由空间的数量。2023年8月19日  高键能的东西一般都是这样,没有办法直接熔融结晶成晶体。 包括金刚石,立方氮化硼等等材料,碳化硅也是一样。 想要长晶,这些高键能物质都只能气化之后从蒸汽里一点点结晶,并且为了结出一块晶体,碳化硅需要衬底来“引导”,引导下面沉积上来的原子在什么方向沉积。为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆? 知乎2022年7月10日  近年来,包括碳化硅在内的功率半导体市场并没有因整个半导体行业的周期性下行而出现丝毫颓势,反而逆市上扬,发布新产品的、投资的、扩大产能的动作比比皆是,目的不外一个:降本增效。怎么做到?还得从碳化硅器件的原材料——晶锭说起。碳化硅(SiC)芯片,指的是晶圆的沉底材料么? 知乎2023年9月25日  碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂 碳化硅百度百科2020年11月9日  锰是有些毒性的,不过也没人在意。Tc为放射性元素,不能应用。Re用的少,但是比Cs等常见,毒性不详。 铁是没事的,钴和镍有争议,但顶多是微毒。Ru、Rh、Pd、Ir、Pt不好说,视具体材料和价态而定。比如铂纳米颗粒就还好,但是顺铂有毒。无机纳米颗粒的毒性及实验室安全 知乎

  • 单晶硅制备过程中会产生哪些污染物质?哪些可以较好的处理

    2013年9月25日  1、废水主要 污染物 为 氢氟酸 、硅粉、碳化硅、聚乙二醇等; 2、废水的bod和 cod 含量高; 3、富含副产品— 四氯化硅 ,且四氯化硅是高毒物质; 因此在多晶硅加工废水处理中往往需要采用 组合工艺 ,多晶硅加工厂的废水处理 工艺流程 大致为: 在多晶硅加 2022年9月8日  摘要 金属污染物,如碳化硅表面的铜,不能通过使用传统的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面没有形成化学氧化物,这种化学稳定性归因于RCA方法对金属污染物的不完全去除,因为它通过氧化和随后的蚀刻去除了金属污染物。使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法 知乎2019年4月29日  碳化硅材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。 但在某些条件下,如在足够高的温度下或较低的氧分压下,SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀,这将导致碳化硅材料被快速氧化 ,即产生活性氧化。 而碳化硅材料在使用过程中经常会遇到这种 碳化硅材料易氧化的原因网易订阅2022年1月16日  作为国内最早实现4英寸碳化硅衬底量产的公司,天岳先进被视为中国第三代半导体的领军人物,又因为华为在2019年的强势 根据天岳先进的招股书,目前公司前两大客户合计贡献60%的营业收入,尽管天岳先进并没有公开这两家客户的名字 天岳先进破发背后,碳化硅冷与热 知乎2022年2月1日  结果表明,平均直径约为40 nm的Ni纳米颗粒均匀地固定在高比表面积的RGO薄片表面,没有出现团聚现象,有利于提高Ni纳米粒子的催化效率。 与纯Ni纳米颗粒和RGO相比,NiRGO材料在Ni纳米颗粒负载量大于64%时具有较好的催化活性,相应的动力学反应速率常数是纯Ni纳米粒子的4倍。非贵金属基催化剂用于催化降解有机污染物的研究进展 usst

  • 绿碳化硅微粉对人体有危害吗 知乎

    2021年1月9日  绿碳化硅微粉吸入过多会造成肺感染,绿碳化硅微粉对人体袭有害:身体直接接触没发现大的损害,少数人可能出现皮肤过敏现象。 较少量得对身体不会有什么伤害,若吸入过多,或是经常暴露在碳化硅粉末中的,可能会造成尘肺病,在2815°C的温度下开始分离,但在常压下不溶化。2019年9月2日  目前碳化硅功率器件的应用电路拓扑基本上沿用硅器件的电路拓扑,没有开发出完全发挥碳化硅 功率器件优势的新型电路拓扑结构。 碳化硅是典型的实用宽禁带半导体材料之之一,跟硅和砷化镓一样具有典 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎2021年6月11日  [摘 要]第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其禁带宽度大、 热稳定性强、 热导率高、 抗辐射能力强等优点, 以耐高温、 高压、 高频著称, 在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅(SiC)的生产方法、 研究进展和 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎2012年7月10日  碳化硅微粉吸入过多会在成尘肺!碳化硅微粉对人体有害:身体直接接触没发现大的损害,少数人可能出现皮肤过敏现象。 较少量吸入对身体不会有什么伤害,若吸入过多,或是经常暴露在碳化硅粉末中的,可能会造成尘肺病,在2815°C的温度下开始分离,但在常压下不溶化。碳化硅:危害百度知道2015年10月6日  我也是 硅芯炉 车间拉硅芯的,其他车间的危害先不说单说硅芯炉拉制硅芯过程中对人体的危害,先是对眼睛伤害特别大,这个就要戴 护目镜 了。 然后炉子中的 氩气 特危险,虽说无色无味但吸多了也有窒息的危险。 小心被基料砸伤割伤。 还有因为熔化基料 在生产多晶硅的化工厂工作会对身体产生什么影响,在拉制硅

  • 碳化硅有毒吗?百度知道

    2017年8月2日  碳化硅微粉吸入过多会在成尘肺!碳化硅微粉对人体有害:身体直接接触没发现大的损害,少数人可能出现皮肤过敏现象。 较少量吸入对身体不会有什么伤害,若吸入过多,或是经常暴露在碳化硅粉末中的,可能会造成 尘肺病 ,在2815°C的温度下开始分离,但在常压下不溶化。2015年6月12日  晶圆 (wafer)没有毒性。 如果只是小批量短期保存(一年左右)不需要充 氮气 或者抽真空,常温常压保存即可。 主要考虑是如何防静电( 静电 可能会打坏芯片)。 可以放在抗静电的 塑料盒 里面(为了防止 电路 被静电打坏),或者高级一点放在抗静电的胶质 晶圆有毒么? 知乎2021年9月18日  碳化硅又称金钢砂或耐火砂。 碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。 我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为320~325,显微硬度为2840~3320kg 金钢砂百度百科2022年5月28日  带负电的铝杂质在碳化硅中引入大量空穴,实现了P型碳化硅的制备。然而,科研人员发现在碳化硅掺铝的过程中无意形成了大量带正电的碳空位,它们能影响碳化硅材料整体的电学性能,制约P型碳化硅电阻率的降低。有没有什么办法可以解决这个问题呢?给碳化硅“看病”!浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面 2017年10月23日  碳化硅这几年发展迅速,SiC最近太热,什么 碳化硅mosfet 等器件太火了,它的出现是个偶然还是,为什么这个 首页 知乎知学堂 因为其拥有更高的工作温度,更快的载流子速度,以及更好的耐压 为什么会出现碳化硅(传统电子器件缺点?)? 知乎

  • 碳化硅(SiC)的优势是什么,能给电动汽车带有什么优势? 知乎

    2022年10月25日  当然,碳化硅当前也并非没有缺点,那就是目前碳化硅成本还非常高。主要原因是碳化硅产业链中的上游环节——碳化硅材料生长速率慢、良率低,因此价格高昂。因此,目前碳化硅仅能搭载于一些高端/ 高性能新能源车型上,还未得到普遍应用 2021年11月28日  前两天写了篇文章 碳化硅(SIC)为什么就一片难求 !{碳化硅(SIC)为什么就一片难求 !}简单介绍了一下三代半导体中碳化硅的大致情况。即使在2001年,英飞凌就已经生产出来碳化硅的功率半导体,距今过去了20年了,但目前阶段依然 碳化硅(SiC)衬底,未来大哥是谁! 前两天写了篇文章 2021年12月5日  比较有代表性的公司有露笑科技、三安光电、天科合达、山西烁科、山东天岳。露笑科技主要从事碳化硅业务、光伏发电业务、漆包线业务。目前主要营收是由漆包线业务贡献,其次是光伏发电业务,碳化硅业务还没开始体现在财报上。碳化硅产业链最全分析 知乎2023年4月3日  SiC器件厂商要有成体系的发展,在器件设计、工艺开发、设备、生产、检测、动力、质量、供应链等方面都不能有短板。一般而言,一个晶圆厂的正常运作,需200人以上的团队。 三、亏损中的碳化硅企业,如何奔向星辰大海?特斯拉带火的碳化硅产业,未来有星辰大海吗? 投中网 2021年4月15日  碳化硅作为应用广泛的耐火材料,在传统领域早已是屡见不鲜,近些年随着大功率电子器件的发展,也乘着第三代半导体的东风在全世界范围内刮起了大力发展碳化硅半导体的浪潮,然而世界瞩目之下,有一个相对小众的领域却是已默默研究发展了30余年,那就是极具应用价值,在如今的航天和军工 全世界没几家能做的碳化硅纤维究竟有多优秀?应用

  • 一味吹捧第三代半导体,不是大忽悠,就是被忽悠 知乎

    2020年9月6日  一味宣扬三代半导体,忽略其他半导体材料,就如同高喊“要啥自行车”一样,不是大忽悠,就是被忽悠。 一是国际技术封锁。 2018年8月1日,美国商务部公布新增的44家中国出口管制企业名单,限制美国的技术向其出口和转移。 其中名单中的中电科13所 2022年2月23日  碳化硅具有代表性的结晶相是6H型,一般来说纯粹的6H型碳化硅是无色透明的,市场上实际销售的碳化硅有各种颜色(多数是黑色和绿色)。 颜色是受杂质影响的,其中纯度高的看起来是绿色,它来源于氮等杂质原子而产生的杂质成分。碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用微粉sic碳化硼 2022年8月29日  所以你看到国内但凡搞功率半导体的,没有一个不做碳化硅的,人人都知道这个拐点迟早要到,预测是5 年以后。国外已经有碳化硅8英寸,国内现在水平如何?国外Cree已经做出的8英寸碳化硅衬底片的消息相信大家都知道,我个人认为短期内 关于碳化硅,把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅2022年4月27日  国际上8英寸SiC单晶衬底研制成功已有报道,但尚未有产品投放市场。 8英寸SiC晶体生长的难点在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题;另外,还要解决应力加大导致晶体开裂问题。 在已有的研 8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院2022年12月6日  为什么没有推出碳化硅的充电器?资料来源:方正证券研报 在电子电气领域,氮化镓其实是老选手了。氮化镓材料具有较宽的禁带以及较好的物理化学性质与热稳定,可以更好地满足 5G 技术、新能源汽车 同为第三代半导体的氮化镓和碳化硅,他们在应用上有

  • 碳化硅VS氮化镓,谁才是新一代半导体材料的代表?

    2023年3月20日  业内也普遍认为,未来,氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表。 发布于 01:21 ・IP 属地四川 碳化硅,作为目前发展最成熟的第三代半导体材料,是近年来最火热的材料 2021年11月29日  较真要点:空调中氟利昂类制冷剂,本身没有毒性,总体上是安全的,不过某些氟利昂遇明火可能会发生燃烧,从而产生有毒气体,而氟利昂的某些替代品,如某些氟代烃类制冷剂毒性可能会存在些疑 较真丨南方过冬靠空调,空调制冷剂“意外泄露”,会让 2020年12月7日  碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式,反映温度低于1600℃时,反应产物则以βSiC形式存在;反映温度高于1600℃时,βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体,反映温度2400℃时,则会完全转变成αSiC。 该冶炼制得的SiC若不含有杂质,呈现无色透明晶体状 碳化硅简介 知乎氮化硅是一种无机物,化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料,硬度大,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造 氮化硅 百度百科2021年12月24日  这样的开关根本没有! 真正的开关击穿电压有限,关闭时有泄漏电流,开通时有电压差,切换需要一定的时间,且总会消耗一些能量。 现在不是有了碳化硅(SiC)等第三代半导体器件吗?我想了解一下碳化硅的生产工艺? 知乎

  • 碳化硅(SiC)功率器件发展现状 知乎

    2019年7月5日  在350℃条件下有良好的可靠性。这些研究结果表明栅氧层将有希望不再是SiCMOSFET的一个显著的问题。3、碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC BJT、SiC IGBT)和碳化硅晶闸管(SiC Thyristor) 之前报道了阻断电压12kV的碳化硅P型IGBT器件,并具有良好 2023年3月15日  尽管国内目前还没有一个领先的IDM,但仍可以利用整体的制造能力来超越国外。随着对碳化硅技术的持续突破和国内产业链的完善,国内碳化硅产业有望进一步壮大,并在全球竞争中取得更加有利的地位。咬牙坚持,或许不久国际巨头就不是出走,而是赶走。作为晶圆衬底,6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比,哪个更好 2021年11月18日  实验千万个,安全条;安全不到位,亲人两行泪 看提问,你在 实验操作 过程中吸入了一些 王水蒸气 。 然后导师为了不让你害怕 化学实验 ,告诉你王水没毒。 虽然没有细节描述,但已经可以看出你的导师和实验室的 严重安全问题 。 王水( 导师告诉我王水没毒,别害怕化学实验,怎么办? 知乎2021年7月8日  碳化硅在电子领域有 哪些应用? 碳化硅是一种非常适合电力应用的半导体,这主要归功于它能够承受高电压,比硅可使用的电压高十倍。基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗。碳化硅二极管和晶体管还 关于碳化硅,不可不知的10件事!电压2023年1月1日  碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物,莫桑石中。 碳化硅 知乎

  • 碳化硅有什么特点呢?来看看 知乎

    2021年11月2日  一般来说,碳化硅在1650的抗氧化性是很不错的。但是,抗氧化性也和开口的孔隙率和粒度有很大的关系,因为表面积越大,氧化速率才会越好。孔隙率是另一个重要的物理性质,它偶尔与密度一起报告,用于表示没有被固体物质占据的自由空间的数量。2023年8月19日  高键能的东西一般都是这样,没有办法直接熔融结晶成晶体。 包括金刚石,立方氮化硼等等材料,碳化硅也是一样。 想要长晶,这些高键能物质都只能气化之后从蒸汽里一点点结晶,并且为了结出一块晶体,碳化硅需要衬底来“引导”,引导下面沉积上来的原子在什么方向沉积。为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆? 知乎2022年7月10日  近年来,包括碳化硅在内的功率半导体市场并没有因整个半导体行业的周期性下行而出现丝毫颓势,反而逆市上扬,发布新产品的、投资的、扩大产能的动作比比皆是,目的不外一个:降本增效。怎么做到?还得从碳化硅器件的原材料——晶锭说起。碳化硅(SiC)芯片,指的是晶圆的沉底材料么? 知乎2023年9月25日  碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂 碳化硅百度百科2020年11月9日  锰是有些毒性的,不过也没人在意。Tc为放射性元素,不能应用。Re用的少,但是比Cs等常见,毒性不详。 铁是没事的,钴和镍有争议,但顶多是微毒。Ru、Rh、Pd、Ir、Pt不好说,视具体材料和价态而定。比如铂纳米颗粒就还好,但是顺铂有毒。无机纳米颗粒的毒性及实验室安全 知乎

  • 单晶硅制备过程中会产生哪些污染物质?哪些可以较好的处理

    2013年9月25日  1、废水主要 污染物 为 氢氟酸 、硅粉、碳化硅、聚乙二醇等; 2、废水的bod和 cod 含量高; 3、富含副产品— 四氯化硅 ,且四氯化硅是高毒物质; 因此在多晶硅加工废水处理中往往需要采用 组合工艺 ,多晶硅加工厂的废水处理 工艺流程 大致为: 在多晶硅加 2022年9月8日  摘要 金属污染物,如碳化硅表面的铜,不能通过使用传统的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面没有形成化学氧化物,这种化学稳定性归因于RCA方法对金属污染物的不完全去除,因为它通过氧化和随后的蚀刻去除了金属污染物。使用稀释的HCN水溶液的碳化硅清洗方法 知乎2019年4月29日  碳化硅材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。 但在某些条件下,如在足够高的温度下或较低的氧分压下,SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀,这将导致碳化硅材料被快速氧化 ,即产生活性氧化。 而碳化硅材料在使用过程中经常会遇到这种 碳化硅材料易氧化的原因网易订阅2022年1月16日  作为国内最早实现4英寸碳化硅衬底量产的公司,天岳先进被视为中国第三代半导体的领军人物,又因为华为在2019年的强势 根据天岳先进的招股书,目前公司前两大客户合计贡献60%的营业收入,尽管天岳先进并没有公开这两家客户的名字 天岳先进破发背后,碳化硅冷与热 知乎

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